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- 000 01406nam0 2200313 450
- 010 __ |a 978-7-121-19525-9 |d CNY79.00
- 100 __ |a 20130315d2013 em y0chiy0110 ea
- 200 1_ |a 功率半导体器件基础 |9 gong lu ban dao ti qi jian ji chu |b 专著 |d Fundamentals of power semiconductor devices |f (美)B.Jayant Baliga著 |g 韩郑生,陆江,宋李梅等译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2013
- 215 __ |a 23,566页 |d 26cm
- 305 __ |a 由Springer Science+Business Media授予出版
- 330 __ |a 本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物理机理、设计原则及应用可靠性,内容以硅功率半导体器件为主,同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书首先从基本半导体理论开始,依次介绍了各类常用的功率半导体器件,采用物理模型分析及数值模拟验证结合的方式,辅助大量详实的图表数据,帮助读者全面透彻理解功率半导体器件的特性。
- 510 1_ |a Fundamentals of power semiconductor devices |z eng
- 606 0_ |a 功率半导体器件 |x 高等学校 |j 教材
- 701 _0 |c (美) |a 巴利加 |9 ba li jia |c (Baliga, B. Jayant) |4 著
- 702 _0 |a 韩郑生 |9 han zheng sheng |4 译
- 702 _0 |a 陆江 |9 lu jiang |4 译
- 702 _0 |a 宋李梅 |9 song li mei |4 译
- 801 _0 |a CN |b ZPHC |c 20131015
- 905 __ |a ZPHC |d TN303/4