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• 005 20230406124100.0

• 010 __ |a 978-7-5606-6444-6 |b 精装 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20230216d2022 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 610000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体氧化镓 |A Kuan Jin Dai Ban Dao Ti Yang Hua Jia |e 结构、制备与性能 |d = Wide bandgap gallium oxide semiconductor |e structure, growth and physical properties |f 陶绪堂 ... [等] 编著 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 316页, [4] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 宽禁带半导体前沿丛书 |A Kuan Jin Dai Ban Dao Ti Qian Yan Cong Shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 304 __ |a 编著者还有: 穆文祥, 贾志泰, 叶建东

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。

• 410 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Wide bandgap gallium oxide semiconductor |e structure, growth and physical properties |z eng

• 606 0_ |a 禁带 |A Jin Dai |x 氧化镓 |x 半导体材料

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 701 _0 |a 陶绪堂 |A Tao Xu Tang |4 编著

• 701 _0 |a 穆文祥 |A Mu Wen Xiang |4 编著

• 701 _0 |a 贾志泰 |A Jia Zhi Tai |4 编著

• 801 _0 |a CN |b ZPHC |c 20230216

• 905 __ |a ZPHC |d TN304.2/2