机读格式显示(MARC)

• 000 01093nam0 2200301 450

• 001 0000355242

• 005 20130902141100.0

• 010 __ |a 978-7-03-036503-3 |d CNY36.00

• 100 __ |a 20130304d2013 em y0chiy0110 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a y z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体材料 |9 ban dao ti cai liao |f 杨树人，王宗昌，王兢编著

• 205 __ |a 3版

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2013

• 215 __ |a 240页 |d 26cm

• 300 __ |a 普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列规划教材

• 330 __ |a 本书共13章，内容包括：硅和锗的化学制备；区熔提纯；晶体生长；硅、锗晶体中的杂质和缺陷；硅外延生长；Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体；低维结构半导体材料；氧化物半导体材料；照明半导体材料；其他半导体材料等。

• 606 0_ |a 半导体材料 |x 高等学校 |j 教材

• 606 0_ |a 半导体材料

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TN304 |v 4

• 701 _0 |a 杨树人 |9 yang shu ren |4 编著

• 701 _0 |a 王宗昌 |9 wang zong chang |4 编著

• 701 _0 |a 王兢 |9 wang jing |4 编著

• 801 _0 |a CN |b ZPHC |c 20130902

• 905 __ |a ZPHC |d TN304/2