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• 005 20060811133800.0

• 010 __ |a 7-81058-898-2 |d CNY260.00(全26册)

• 092 __ |a CN |b 2970200942

• 100 __ |a 20060629d2006 em y0chiy0110 ea

• 101 0_ |a chi |d eng

• 102 __ |a CN |b 310000

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• 200 1_ |a 氧化铝衬底上金刚石的厚膜生长及其微电子学应用研究 |9 yang hua lv chen de shang jin gang shi de hou mo sheng zhang ji qi wei dian zi xue ying yong yan jiu |d Investigation of the diamond thick film grown on alumina substrate and its microelectronic applications |f 方志军著 |z eng

• 210 __ |a 上海 |c 上海大学出版社 |d 2006

• 215 __ |a 126页 |d 21cm

• 225 2_ |a 2003年上海大学博士学位论文 |v 23

• 330 __ |a 本书分别采用MPCVD、HFCVD方法在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石膜。在沉积金刚石膜之前，首次使用对氧化铝衬底进行碳离子注入的方法，以缓解薄膜与衬底间的应力。通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、显微压痕及扫描电子显微镜(SEM)等手段，对离子注入层中碳元素的分布及残余应力随注入条件的变化进行了研究。

• 461 _0 |1 2001 |a 2003年上海大学博士学位论文 |v 23

• 510 1_ |a Investigation of the diamond thick film grown on alumina substrate and its microelectronic applications |z eng

• 606 0_ |a 金刚石 |x 薄膜 |x 复合材料

• 606 0_ |a 氧化铝陶瓷 |x 复合材料

• 690 __ |a TB34 |v 4

• 701 _0 |a 方志军 |9 fang zhi jun |4 著

• 801 _0 |a CN |b NLIC |c 20060811

• 905 __ |a NLIC |d TB34/7