机读格式显示(MARC)
- 010 __ |a 978-7-03-075191-1 |d CNY59.00
- 100 __ |a 20230406d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 半导体材料 |A Ban Dao Ti Cai Liao |f 张源涛, 杨树人, 徐颖编著
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023
- 215 __ |a 257页 |c 图 |d 26cm
- 225 2_ |a 普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材 |A Pu Tong Gao Deng Jiao Yu Dian Zi Ke Xue Yu Ji Shu Te Se Zhuan Ye Xi Lie Jiao Cai
- 320 __ |a 有书目 (第256-257页)
- 330 __ |a 本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺,以及特性的控制等,内容包括:硅和锗的化学制备、区熔提纯、晶体生长、硅外延生长、低维结构半导体材料、氧化物半导体材料、宽禁带半导体材料等。
- 410 _0 |1 2001 |a 普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材
- 606 0_ |a 半导体材料 |A Ban Dao Ti Cai Liao |x 高等教育 |j 教材
- 701 _0 |a 张源涛 |A Zhang Yuan Tao |4 编著
- 701 _0 |a 杨树人 |A Yang Shu Ren |4 编著
- 701 _0 |a 徐颖 |A Xu Ying |4 编著
- 801 _0 |a CN |b ZPHC |c 20230406
- 905 __ |a ZPHC |d TN304/10