机读格式显示(MARC)

• 000 01171nam0 2200289 450

• 001 0001357442

• 005 20231225173000.0

• 010 __ |a 978-7-5024-9640-1 |d CNY72.00

• 100 __ |a 20231118d2023 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 掺杂GaN纳米线制备技术 |A can za GaN na mi xian zhi bei ji shu |f 崔真, 吴辉, 李恩玲著

• 210 __ |a 北京 |c 冶金工业出版社 |d 2023

• 215 __ |a 158页 |c 图 |d 24cm

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书共分9章, 主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外, 还介绍了AIN包覆GaN纳米线的制备及表征, 分析了AlN包覆GaN纳米线的形成机理。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识, 书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的最佳工艺, 以便读者更好地了解本书的内容。

• 510 1_ |a Preparation technology of doped GaN nanowires |z eng

• 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x 研究

• 690 __ |a TB383 |v 5

• 701 _0 |a 崔真 |A cui zhen |4 著

• 701 _0 |a 吴辉 |A wu hui |4 著

• 701 _0 |a 李恩玲 |A li en ling |4 著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20231118

• 905 __ |a ZPHC |d TB383/220