MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：6
- 题名/责任者:
- 宽禁带半导体氧化镓:结构、制备与性能/陶绪堂 ... [等] 编著
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2022
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-6444-6 精装/CNY128.00
- 载体形态项:
- 316页, [4] 页图版:图 (部分彩图);25cm
- 并列正题名:
- Wide bandgap gallium oxide semiconductor:structure, growth and physical properties
- 丛编项:
- 宽禁带半导体前沿丛书
- 个人责任者:
- 陶绪堂 编著
- 个人责任者:
- 穆文祥 编著
- 个人责任者:
- 贾志泰 编著
- 学科主题:
- 禁带-氧化镓-半导体材料
- 中图法分类号:
- TN304.2
- 一般附注:
- 国家出版基金项目
- 题名责任附注:
- 编著者还有: 穆文祥, 贾志泰, 叶建东
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。
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