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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:5

题名/责任者:
宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征/徐士杰等编著
出版发行项:
西安:西安电子科技大学出版社,2022
ISBN及定价:
978-7-5606-6429-3 精装/CNY128.00
载体形态项:
375页, [4] 页图版:图 (部分彩图);25cm
并列正题名:
Optical characterization of microstructures and optoelectronic devices based on wide bandgap semiconductors
丛编项:
宽禁带半导体前沿丛书
个人责任者:
徐士杰 编著
学科主题:
禁带-半导体-结构
学科主题:
禁带-半导体光电器件
中图法分类号:
TN303
中图法分类号:
TN36
一般附注:
国家出版基金项目
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线,按照“面向宽禁带半导体前沿课题,注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征,以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的”的原则安排全书内容,从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发,介绍了宽禁带半导体光电器件微纳结构生长、掺杂、受激辐射、量子效率测量、紫外探测、微尺寸LED、高效太阳能电池等工作原理、光学表征、性能提升等前沿研究。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 所在方位 书刊状态 还书位置
TN303/25 767417 2022  奉化馆流通区(可借)     定位 可借 奉化馆流通区(可借)
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