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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:9

题名/责任者:
功率半导体器件基础/(美)B.Jayant Baliga著 韩郑生,陆江,宋李梅等译
出版发行项:
北京:电子工业出版社,2013
ISBN及定价:
978-7-121-19525-9/CNY79.00
载体形态项:
23,566页;26cm
并列正题名:
Fundamentals of power semiconductor devices
个人责任者:
(美) 巴利加 (Baliga, B. Jayant) 著
个人次要责任者:
韩郑生
个人次要责任者:
陆江
个人次要责任者:
宋李梅
学科主题:
功率半导体器件-高等学校-教材
中图法分类号:
TN303
中图法分类号:
TN303
一般附注:
国外电子与通信教材系列
版本附注:
由Springer Science+Business Media授予出版
提要文摘附注:
本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物理机理、设计原则及应用可靠性,内容以硅功率半导体器件为主,同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书首先从基本半导体理论开始,依次介绍了各类常用的功率半导体器件,采用物理模型分析及数值模拟验证结合的方式,辅助大量详实的图表数据,帮助读者全面透彻理解功率半导体器件的特性。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 所在方位 书刊状态 还书位置
TN303/4 455270 2013 - 奉化馆流通区(可借)     定位 可借 奉化馆流通区(可借)
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